北大物理学院叶堉研究员课题组发展2H-MoTe2二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术

【北大物理学院叶堉研究员课题组发展2H-MoTe2二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术】近日，物理学院叶堉研究员课题组在前期二维碲化钼（MoTe2）相变与可控制备的基础上，与合作者进一步提出了一种不受支撑基底限制的平面内二维横向外延技术，将单晶2H-MoTe2半导体薄膜与高度晶格失配的平面晶体或任意形貌的3D架构异质集成，从而发展前所未有的集成技术与器件功能。相关研究成果在线发表于《自然·合成》。我在北大做科研戳链接，了解更多～网页链接