有人说，中国再过三十年也无法突破...

有人说，中国再过三十年也无法突破美国对半导体芯片的围堵，我看这些人是不学无术。
当现在的半导体芯片制程突破或接近1纳米之后，量子隧穿效应将会让电子失控，芯片无法正常工作。其实5纳米、7纳米之下就有量子隧穿效应了。目前没有什么好的方法来解决这个问题，虽然开发出1纳米的二硫化钼晶体管来替换芯片的碳基底，但如何生产出亿万数量级的二硫化钼晶体管是个大难题。1个14纳米芯片上有超过10亿的晶体管。
现在国外的制程已经达到3纳米，那么离这一极限也不远了。照中国目前这样的研发速度，国外围堵半导体的力度越大，研发进程会越快。而更换半导体材料没有重大突破，那中国也许用不了10年时间就赶上西方的先进制程。而且国内也在研究其他半导体材料，到时候有可能弯道超车！投资股票 @一股红运