今天，三星电子宣布，基于3nm全环绕栅极（GAA）制程工艺芯片已经开始初步生产。
相较5纳米，三星3纳米工艺性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%；而第二代3nm工艺则能达到性能提高30%，功耗降低50%，面积减少35%。
三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”应用，打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。
三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。
三星三星官翻机行业速递
