三星内存芯片 韩国一家报纸周日晚些时候报道，尽管预测经济放缓，但三星电子计划明年提高其最大半导体工厂的芯片产能。
此举与竞争对手在需求下降和芯片过剩的情况下缩减投资形成鲜明对比。分析师表示，三星坚持投资计划可能有助于其占据内存芯片市场份额，并在需求复苏时支撑其股价。
媒体援引消息人士的话报道，三星计划扩大其在韩国平泽的P3工厂，增加12英寸晶圆的DRAM存储芯片产能。
该报称，该公司还将扩建工厂，增加4纳米芯片产能，三星将根据客户的设计生产。 P3今年开始生产尖端的NAND闪存芯片，是三星公司最大的芯片制造厂。媒体称，三星计划明年增加至少10台极紫外线光刻机。
