工信部《首台（套）重大技术装备推...
- 无波子
- 2024-09-17 03:37:36
工信部《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》所涉及到的光刻机，目前对应的是制程小于等于65nm的光刻能力，最小套刻小于等于8nm。
但这个跟造出制程为8nm的DUV光刻机是两回事！
严格来说，这就是65nm制程的光刻机工艺。
虽然，在多重曝光工艺下，65nm套刻精度和量产工艺大约为1：3比例，即多重暴光后量产精度约28nm。即，65nm光刻也可以做出制程为28nm的工艺，成本会高一点，良率会低一点。
但距离8nm的工艺还是比较遥远的。
当然，了不起的一面是，在光刻机及配套产业链，我国是全方位推进的。
其它的配套设备，比如清洗、氧化、显影、刻蚀、气相沉积装备等，已经可以推进到了28nm。
而在光刻胶的层面上，193nmArF光源之前也陆续有一些品种已经研发出来。目前只剩下13.5nm EUV光源还没突破。
至于300nm的晶圆大硅片，咱国早就可以生产了。
而在刻蚀等领域，国内企业已可与台积电的世界最先进水平配套，也就是做到5nm、3nm……以及更极限的精度。
所以，工信部公布的这个消息，应该是目前已经成熟的可以拿出来的国产产业链装备，但很可能不是最先进的。
通俗科普：
晶圆直径：300mm - 这指的是光刻机能够处理的晶圆（硅片）的最大直径。晶圆是制造集成电路的基础材料，300mm（也就是12英寸）是目前广泛使用的规格之一。晶圆直径越大，单个晶圆上可以制造的芯片数量就越多，从而提高生产效率。
照明波长：193nm - 这是指光刻机使用的光源的波长。波长越短，光刻机能够制造的最小特征尺寸就越小。193nm是深紫外线（DUV）光源的常见波长，它允许光刻机制造非常精细的电路图案。
分辨率≤65nm - 分辨率是指光刻机能够区分并复制最小尺寸图案的能力。这里说的65nm（纳米）是指光刻机能实现的最小线宽或空间尺寸。分辨率越高，能够在同样大小的硅片上制造的晶体管数量就越多，从而提高芯片的性能和集成度。
套刻≤8nm - 套刻是指在多层光刻过程中，新图案与之前图案对齐的精确度。这里的8nm是指光刻机在套刻过程中能达到的最大对齐误差。套刻精度越高，制造出的芯片性能越稳定，良品率越高。
光刻机 科普～
但这个跟造出制程为8nm的DUV光刻机是两回事！
严格来说，这就是65nm制程的光刻机工艺。
虽然，在多重曝光工艺下，65nm套刻精度和量产工艺大约为1：3比例，即多重暴光后量产精度约28nm。即，65nm光刻也可以做出制程为28nm的工艺，成本会高一点，良率会低一点。
但距离8nm的工艺还是比较遥远的。
当然，了不起的一面是，在光刻机及配套产业链，我国是全方位推进的。
其它的配套设备，比如清洗、氧化、显影、刻蚀、气相沉积装备等，已经可以推进到了28nm。
而在光刻胶的层面上，193nmArF光源之前也陆续有一些品种已经研发出来。目前只剩下13.5nm EUV光源还没突破。
至于300nm的晶圆大硅片，咱国早就可以生产了。
而在刻蚀等领域，国内企业已可与台积电的世界最先进水平配套，也就是做到5nm、3nm……以及更极限的精度。
所以，工信部公布的这个消息，应该是目前已经成熟的可以拿出来的国产产业链装备，但很可能不是最先进的。
通俗科普：
晶圆直径：300mm - 这指的是光刻机能够处理的晶圆（硅片）的最大直径。晶圆是制造集成电路的基础材料，300mm（也就是12英寸）是目前广泛使用的规格之一。晶圆直径越大，单个晶圆上可以制造的芯片数量就越多，从而提高生产效率。
照明波长：193nm - 这是指光刻机使用的光源的波长。波长越短，光刻机能够制造的最小特征尺寸就越小。193nm是深紫外线（DUV）光源的常见波长，它允许光刻机制造非常精细的电路图案。
分辨率≤65nm - 分辨率是指光刻机能够区分并复制最小尺寸图案的能力。这里说的65nm（纳米）是指光刻机能实现的最小线宽或空间尺寸。分辨率越高，能够在同样大小的硅片上制造的晶体管数量就越多，从而提高芯片的性能和集成度。
套刻≤8nm - 套刻是指在多层光刻过程中，新图案与之前图案对齐的精确度。这里的8nm是指光刻机在套刻过程中能达到的最大对齐误差。套刻精度越高，制造出的芯片性能越稳定，良品率越高。
光刻机 科普～
