国产光刻机产业链发展趋势分析国产...

国产光刻机
产业链发展趋势分析

国产光刻机发展趋势很值得关注。在技术革新方面，EUV光刻技术是关键。它原理是用极短波长的极紫外光提升分辨率，比传统DUV光刻技术能降低芯片线宽极限，提升集成电路icon密度和性能。像ASML公司的EUV光源输出功率达250W，这是大规模生产的必要条件。

我国半导体企业在国家政策支持和科研投入加大下积极探索自主研发。不过发展任重道远，光刻工艺流程有8个步骤，光刻机发展经历多个历程，现在主流的步进扫描光刻机采用多种高难度技术。而且制程节点到3nm以下时，EUV光刻机不可或缺，其光源系统、光学镜头、工作台等结构都很关键。零组件企业可能长期受益于国产光刻机发展。