#韩国断供HBM核心设备# 中国半导体遭遇“叠积木”危机
- U2未来实验室
- 2025-05-13 13:02:58
【韩国断供HBM核心设备 中国半导体遭遇“叠积木”危机】
TCB Bonder：HBM芯片的“生死线”
作为AI芯片的“血液”，HBM通过垂直堆叠12-16层DRAM芯片实现超高带宽，而TCB Bonder正是完成芯片堆叠的“精密焊工”。这项设备需在300°C高温下实现±1微米对准精度，良率直接决定芯片价值——12层HBM3E单次键合失误即可导致数千美元损失。当前全球90%的HBM3E设备被韩国韩美半导体（Hanmi）垄断，单台售价超千万元，且与SK海力士等存储巨头深度绑定形成技术闭环。
断供冲击波：中国HBM产业三重危机
1️⃣ 产能冻结：国产HBM2生产线依赖进口设备，断供将导致扩产计划搁浅，某厂商2024年提前量产的HBM2或面临停产；
2️⃣ 成本飙升：国产设备良率仅80%（韩国达95%），晶圆加工成本激增30%，HBM3E量产成本优势尽失；
3️⃣ 技术断代：下一代HBM4需混合键合技术（Hybrid Bonding），韩国已布局研发而中国尚处空白，技术代差恐扩大至5年。
️ 国产突围：破局与困局并存
普莱信突破：Loong系列实现±1μm精度，但仅支持TC-NCF工艺，尚未通过大规模量产验证；
混合键合探索：拓荆科技晶圆键合设备进入验证，但芯片级键合设备仍处实验室阶段；
成本逆袭：国产设备价格仅为进口1/3，若突破工艺适配难题，有望重塑产业链。
生死时速：2026-2027关键窗口
中国存储巨头CXMT计划2026年量产HBM3、2027年攻克HBM3E，较原计划提前2年。但美国出口管制持续加码——光刻机等关键设备受限，HBM3E所需12层堆叠技术面临“设备-工艺”双重封锁。专家预测，若2025年实现TCB Bonder国产化，中国HBM产业有望在2028年追平国际水平。
深层博弈：HBM断供不仅关乎存储产业，更直接冲击中国AI算力——华为昇腾910B、寒武纪等AI芯片依赖HBM2E，断供将延缓大模型训练进程。这场“芯片叠积木”之战，实为中美科技博弈的微观缩影。
半导体国产
半导体
TCB Bonder：HBM芯片的“生死线”
作为AI芯片的“血液”，HBM通过垂直堆叠12-16层DRAM芯片实现超高带宽，而TCB Bonder正是完成芯片堆叠的“精密焊工”。这项设备需在300°C高温下实现±1微米对准精度，良率直接决定芯片价值——12层HBM3E单次键合失误即可导致数千美元损失。当前全球90%的HBM3E设备被韩国韩美半导体（Hanmi）垄断，单台售价超千万元，且与SK海力士等存储巨头深度绑定形成技术闭环。
断供冲击波：中国HBM产业三重危机
1️⃣ 产能冻结：国产HBM2生产线依赖进口设备，断供将导致扩产计划搁浅，某厂商2024年提前量产的HBM2或面临停产；
2️⃣ 成本飙升：国产设备良率仅80%（韩国达95%），晶圆加工成本激增30%，HBM3E量产成本优势尽失；
3️⃣ 技术断代：下一代HBM4需混合键合技术（Hybrid Bonding），韩国已布局研发而中国尚处空白，技术代差恐扩大至5年。
️ 国产突围：破局与困局并存
普莱信突破：Loong系列实现±1μm精度，但仅支持TC-NCF工艺，尚未通过大规模量产验证；
混合键合探索：拓荆科技晶圆键合设备进入验证，但芯片级键合设备仍处实验室阶段；
成本逆袭：国产设备价格仅为进口1/3，若突破工艺适配难题，有望重塑产业链。
生死时速：2026-2027关键窗口
中国存储巨头CXMT计划2026年量产HBM3、2027年攻克HBM3E，较原计划提前2年。但美国出口管制持续加码——光刻机等关键设备受限，HBM3E所需12层堆叠技术面临“设备-工艺”双重封锁。专家预测，若2025年实现TCB Bonder国产化，中国HBM产业有望在2028年追平国际水平。
深层博弈：HBM断供不仅关乎存储产业，更直接冲击中国AI算力——华为昇腾910B、寒武纪等AI芯片依赖HBM2E，断供将延缓大模型训练进程。这场“芯片叠积木”之战，实为中美科技博弈的微观缩影。
半导体国产
半导体
