中科院微电子研究所在Ga₂O₃深紫外图像传感器领域取得重要进展

【中科院微电子研究所在Ga₂O₃深紫外图像传感器领域取得重要进展】

中科院微电子研究所重点实验室科研人员首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列，并在极弱光照条件下实现成像。集微网