中科院微电子研究所垂直沟道纳米晶体管研发工作获突破

【中科院微电子研究所垂直沟道纳米晶体管研发工作获突破】

近期，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队，在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上，提出并研发出一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件（VCNFET）以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”。集微网